Transistor MOSFET onsemi canal P, SOT-23 3,7 A 8 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
3,7 A
Tension Drain Source maximum
8 V
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
120 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
960 mW
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
12 nC @ 4,5 V
Largeur
1.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1.01mm
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Standard
25
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
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P
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8 V
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Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
120 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
960 mW
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
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