MOSFET onsemi canal N, TO-220AB 50 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
50 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Séries
MegaFET
Type d'emballage
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
22 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
131 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
125 nC @ 20 V
Largeur
4.83mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.67mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
9.4mm
Détails du produit
Transistor MOSFET MegaFET, Fairchild Semiconductor
Le processus MegaFET, qui utilise des tailles proches des circuits intégrés LSI, permet une utilisation optimale du silicium, ce qui se traduit par des performances remarquables.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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Prix sur demande
Paquet de production (Bande)
1
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Largeur
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Si
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1
Longueur
10.67mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
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Taille
9.4mm
Détails du produit
Transistor MOSFET MegaFET, Fairchild Semiconductor
Le processus MegaFET, qui utilise des tailles proches des circuits intégrés LSI, permet une utilisation optimale du silicium, ce qui se traduit par des performances remarquables.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
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