MOSFET onsemi canal N, SOT-23 115 mA 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
115 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type d'emballage
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
7,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
300 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.3mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.9mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
0.94mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 60 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 4,81
€ 0,096 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Standard
50
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50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 50 - 450 | € 0,096 | € 4,81 |
| 500 - 950 | € 0,045 | € 2,26 |
| 1000 - 2450 | € 0,045 | € 2,26 |
| 2500 - 4950 | € 0,043 | € 2,14 |
| 5000+ | € 0,042 | € 2,08 |
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Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
7,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
300 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.3mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.9mm
Température d'utilisation maximum
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Taille
0.94mm
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