MOSFET onsemi canal N, SOT-363 500 mA 25 V, 6 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
500 mA
Tension Drain Source maximum
25 V
Type d'emballage
SOT-363
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
770 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.65V
Dissipation de puissance maximum
300 mW
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
+8 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
2mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
1,64 nC @ 5 V
Largeur
1.25mm
Taille
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal P, mode amélioré, Fairchild Semiconductor
Les transistors à effet de champ en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus très haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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€ 18,84
€ 0,377 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
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Paquet de production (Bobine)
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 95 | € 0,377 | € 1,88 |
| 100 - 495 | € 0,328 | € 1,64 |
| 500 - 995 | € 0,289 | € 1,44 |
| 1000+ | € 0,261 | € 1,31 |
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N
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500 mA
Tension Drain Source maximum
25 V
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Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
770 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.65V
Dissipation de puissance maximum
300 mW
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
+8 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
2mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
1,64 nC @ 5 V
Largeur
1.25mm
Taille
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal P, mode amélioré, Fairchild Semiconductor
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