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MOSFET onsemi canal P, SOIC 6,9 A 30 V, 8 broches

N° de stock RS: 671-0536PMarque: onsemiN° de pièce Mfr: FDS4935BZ
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Documents techniques

Spécifications

Brand

onsemi

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

6.9 A

Tension Drain Source maximum

30 V (canal N), 30 V (canal P)

Série

PowerTrench

Type de conditionnement

SOIC W

Type de fixation

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

22 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

1,6 W

Configuration du transistor

Isolated

Tension Grille Source maximum

-25 V, +25 V

Charge de Grille type @ Vgs

29 nC@ 10 V

Largeur

4mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

2

Longueur

5mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Hauteur

1.5mm

Détails du produit

Transistor MOSFET à double canal P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor

Les transistors MOSFET PowerTrench® sont des commutateurs de puissance optimisés qui offrent une augmentation du rendement du système et une forte densité de puissance. Ils combinent une charge de grille (QG) réduite, une charge de recouvrement inverse (Qrr) réduite et une diode de recouvrement inverse souple, ce qui contribue à une commutation rapide du redressement synchrone dans les alimentations c.a./c.c.
Les derniers transistors MOSFET PowerTrench® emploient une structure de grille blindée offrant un équilibrage des charges. En utilisant cette technologie de pointe, le facteur de mérite de ces dispositifs est considérablement inférieur à celui de la génération précédente.
Les performances de la diode de corps souple des transistors MOSFET PowerTrench® permettent d'éliminer les circuits Snubber ou de remplacer un MOSFET d'une tension nominale supérieure.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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Vous pouvez être intéressé par
Transistor MOSFET Fairchild Semiconductor canal P, SOIC 5 A 30 V, 8 broches
Prix ​​sur demandeEach (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

€ 18,95

€ 0,758 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET onsemi canal P, SOIC 6,9 A 30 V, 8 broches
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QuantitéPrix unitairePar Bobine
25 - 95€ 0,758€ 3,79
100 - 245€ 0,502€ 2,51
250 - 495€ 0,456€ 2,28
500+€ 0,418€ 2,09

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P

Courant continu de Drain maximum

6.9 A

Tension Drain Source maximum

30 V (canal N), 30 V (canal P)

Série

PowerTrench

Type de conditionnement

SOIC W

Type de fixation

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

22 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

1,6 W

Configuration du transistor

Isolated

Tension Grille Source maximum

-25 V, +25 V

Charge de Grille type @ Vgs

29 nC@ 10 V

Largeur

4mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

2

Longueur

5mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Hauteur

1.5mm

Détails du produit

Transistor MOSFET à double canal P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor

Les transistors MOSFET PowerTrench® sont des commutateurs de puissance optimisés qui offrent une augmentation du rendement du système et une forte densité de puissance. Ils combinent une charge de grille (QG) réduite, une charge de recouvrement inverse (Qrr) réduite et une diode de recouvrement inverse souple, ce qui contribue à une commutation rapide du redressement synchrone dans les alimentations c.a./c.c.
Les derniers transistors MOSFET PowerTrench® emploient une structure de grille blindée offrant un équilibrage des charges. En utilisant cette technologie de pointe, le facteur de mérite de ces dispositifs est considérablement inférieur à celui de la génération précédente.
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