Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
240 mA
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de boîtier
SC-75
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
300 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-10 V, +10 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
1.65mm
Largeur
0.9mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
0.8mm
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 42,70
€ 0,085 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
500
€ 42,70
€ 0,085 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
500
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
---|---|---|
500 - 900 | € 0,085 | € 8,54 |
1000+ | € 0,074 | € 7,39 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
240 mA
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de boîtier
SC-75
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
300 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-10 V, +10 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
1.65mm
Largeur
0.9mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
0.8mm
Détails du produit