Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
9 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
150 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
28.8 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
7,1 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
6.73mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.22mm
Taille
2.38mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 60 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 12,48
€ 0,499 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
25
€ 12,48
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Paquet de production (Bobine)
25
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N
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9 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
150 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
28.8 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
7,1 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
6.73mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.22mm
Taille
2.38mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit