Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
870 mA
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de conditionnement
SOT-723
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2.2 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
550 mW
Tension Grille Source maximum
-6 V, +6 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
0.85mm
Longueur
1.25mm
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
0.55mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal P, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 361,38
€ 0,09 Each (On a Reel of 4000) (hors TVA)
4000
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onsemiType de canal
P
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870 mA
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de conditionnement
SOT-723
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2.2 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
550 mW
Tension Grille Source maximum
-6 V, +6 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
0.85mm
Longueur
1.25mm
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
0.55mm
Pays d'origine
China
Détails du produit