MOSFET onsemi canal P, SOT-23 3,7 A 8 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
3,7 A
Tension Drain Source maximum
8 V
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
120 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
960 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
12 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1.01mm
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal P, 8 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 8,08
€ 0,081 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
€ 8,08
€ 0,081 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
100
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 100 - 200 | € 0,081 | € 4,04 |
| 250 - 450 | € 0,077 | € 3,87 |
| 500 - 950 | € 0,075 | € 3,75 |
| 1000+ | € 0,072 | € 3,58 |
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P
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3,7 A
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8 V
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Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
120 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
960 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
12 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.4mm
Température de fonctionnement minimum
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Hauteur
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