MOSFET onsemi canal N, SOT-23 2,2 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
2.2 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
155 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
900 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Charge de Grille type @ Vgs
5,1 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
3.04mm
Hauteur
1.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 60 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 4,24
€ 0,17 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
25
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
25
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 25 - 75 | € 0,17 | € 4,24 |
| 100 - 225 | € 0,147 | € 3,66 |
| 250 - 475 | € 0,127 | € 3,17 |
| 500 - 975 | € 0,112 | € 2,80 |
| 1000+ | € 0,102 | € 2,54 |
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Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
900 mW
Configuration du transistor
Single
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±20 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Charge de Grille type @ Vgs
5,1 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
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Hauteur
1.01mm
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