MOSFET onsemi canal P, SOT-323 1,5 A 8 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
1.5 A
Tension Drain Source maximum
8 V
Type d'emballage
SOT-323
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
210 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.45V
Dissipation de puissance maximum
330 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.35mm
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
6,4 nC @ 5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
0.9mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal P, 8 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 339,86
€ 0,113 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Largeur
1.35mm
Longueur
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Charge de Grille type @ Vgs
6,4 nC @ 5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
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