Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
163 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Série
NVD5C434N
Type d'emballage
DPAK (TO-252)
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2,1 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
117 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.22mm
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
80,6 nC @ 10 V
Standard automobile
AEC-Q101
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
2.38mm
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 40 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 3 930,40
€ 1,572 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
€ 3 930,40
€ 1,572 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
163 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Série
NVD5C434N
Type d'emballage
DPAK (TO-252)
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2,1 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
117 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.22mm
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
80,6 nC @ 10 V
Standard automobile
AEC-Q101
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
2.38mm
Détails du produit