MOSFET ROHM canal P, TSMT-3 4 A 30 V, 3 broches

N° de stock RS: 124-6810PMarque: ROHMN° de pièce Mfr: RQ5E040RPTL
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Documents techniques

Spécifications

Brand

ROHM

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

4 A

Tension Drain Source maximum

30 V (canal N), 30 V (canal P)

Série

RRR040P03

Type de boîtier

TSMT-3

Type de fixation

CMS

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum

72 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.5V

Tension de seuil minimale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

1000 mW

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

1.6mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

2.9mm

Charge de Grille type @ Vgs

10,5 nC @ 5 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

0.85mm

Tension directe de la diode

1.2V

Détails du produit

Transistors MOSFET canal P, ROHM

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

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€ 26,92

€ 0,269 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET ROHM canal P, TSMT-3 4 A 30 V, 3 broches
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Paquet de production (Bobine)

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Standard - each

Disponible en multiples de 20.

Production -

Disponible en multiples de 20.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

100

Disponible en multiples de 20
100€ 26,92
120€ 32,30
140€ 37,68
160€ 43,07
180€ 48,45
200€ 52,46
220€ 57,71
240€ 62,95
260€ 68,20
280€ 73,44
300€ 78,69
320€ 83,93
340€ 89,18
360€ 94,43
380€ 99,67

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QuantitéPrix unitairePar Bobine
100 - 180€ 0,269€ 5,38
200 - 480€ 0,262€ 5,25
500 - 980€ 0,255€ 5,11
1000+€ 0,25€ 4,99

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P

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TSMT-3

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3

Résistance Drain Source maximum

72 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.5V

Tension de seuil minimale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

1000 mW

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

1.6mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

2.9mm

Charge de Grille type @ Vgs

10,5 nC @ 5 V

Température d'utilisation maximum

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