MOSFET ROHM canal N, TO-3PFM 3,7 A 1700 V, 3 broches

N° de stock RS: 133-2860PMarque: ROHMN° de pièce Mfr: SCT2H12NZGC11
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Documents techniques

Spécifications

Brand

ROHM

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

3,7 A

Tension Drain Source maximum

1700 V

Type de boîtier

TO-3PFM

Série

SCT2H12NZ

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

1,5 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Tension de seuil minimale de la grille

1.6V

Dissipation de puissance maximum

35 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-6 V, +22 V

Matériau du transistor

Si

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

5mm

Longueur

16mm

Charge de Grille type @ Vgs

14 nC @ 18 V

Tension directe de la diode

4.3V

Taille

21mm

Détails du produit

Transistors MOSFET canal N, ROHM

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

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€ 67,63

€ 6,763 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)

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QuantitéPrix unitairePar Tube
10 - 18€ 6,763€ 13,52
20 - 98€ 6,728€ 13,46
100 - 198€ 6,653€ 13,31
200+€ 6,531€ 13,06

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N

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Série

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Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

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4V

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Single

Tension Grille Source maximum

-6 V, +22 V

Matériau du transistor

Si

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1

Largeur

5mm

Longueur

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Charge de Grille type @ Vgs

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