MOSFET STMicroelectronics canal N, HiP247-4 30 A 1 200 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
30 A
Tension Drain Source maximum
1200 V
Série
SCT
Type d'emballage
HiP247-4
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
4
Mode de canal
Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
SiC
Pays d'origine
China
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Prix sur demande
Paquet de production (Tube)
1
Prix sur demande
Paquet de production (Tube)
1
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
30 A
Tension Drain Source maximum
1200 V
Série
SCT
Type d'emballage
HiP247-4
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
4
Mode de canal
Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
SiC
Pays d'origine
China
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.