MOSFET STMicroelectronics canal N, DPAK (TO-252) 60 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
60 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Série
STripFET II
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
16 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
110000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
6.2mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
49 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
2.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 2 046,00
€ 0,818 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
110000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
6.2mm
Matériau du transistor
Si
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1
Longueur
6.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
49 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
2.4mm
Température de fonctionnement minimum
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