MOSFET STMicroelectronics canal N, DPAK (TO-252) 4,5 A 650 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
4.5 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Séries
MDmesh M2
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
1.2 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
60 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Largeur
6.2mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
8 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
2.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics
Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 9,29
€ 1,858 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,858 | € 9,29 |
| 25 - 45 | € 1,765 | € 8,82 |
| 50 - 120 | € 1,59 | € 7,95 |
| 125 - 245 | € 1,433 | € 7,16 |
| 250+ | € 1,358 | € 6,79 |
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N
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Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
1.2 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
60 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Largeur
6.2mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
8 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
2.4mm
Température de fonctionnement minimum
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