MOSFET STMicroelectronics canal N, TO-220FP 10 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
10 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Type de conditionnement
A-220
Séries
FDmesh
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
450 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
25 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
30 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.6mm
Taille
16.4mm
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N FDmesh™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 109,70
€ 2,194 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
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25 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
30 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
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