Transistor MOSFET STMicroelectronics canal N, PowerFLAT 8 x 8 HV 15 A 600 V, 5 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
15 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Type de conditionnement
PowerFLAT 8 x 8 HV
Type de montage
CMS
Nombre de broches
5
Résistance Drain Source maximum
215 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.75V
Tension de seuil minimale de la grille
3.25V
Dissipation de puissance maximum
110000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±25 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
8.1mm
Longueur
8.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
24 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.6V
Taille
0.9mm
Pays d'origine
China
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€ 5 722,44
€ 1,907 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Type de montage
CMS
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5
Résistance Drain Source maximum
215 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.75V
Tension de seuil minimale de la grille
3.25V
Dissipation de puissance maximum
110000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±25 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
8.1mm
Longueur
8.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
24 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
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