MOSFET STMicroelectronics canal N, PowerFLAT 5 x 6 60 A 100 V, 8 broches

N° de stock RS: 786-3741PMarque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STL60N10F7
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

60 A

Tension Drain Source maximum

-100 V

Série

STripFET H7

Type de conditionnement

PowerFLAT 5 x 6

Type de fixation

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

16,5 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4.5V

Tension de seuil minimale de la grille

2.5V

Dissipation de puissance maximum

5000 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

5.4mm

Largeur

6.35mm

Charge de Grille type @ Vgs

25 nC V @ 10

Matériau du transistor

Si

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Hauteur

0.95mm

Détails du produit

Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics

Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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€ 17,83

€ 0,713 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

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QuantitéPrix unitairePar Bobine
25 - 45€ 0,713€ 3,57
50 - 120€ 0,664€ 3,32
125 - 245€ 0,648€ 3,24
250+€ 0,631€ 3,16

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CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

16,5 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4.5V

Tension de seuil minimale de la grille

2.5V

Dissipation de puissance maximum

5000 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

5.4mm

Largeur

6.35mm

Charge de Grille type @ Vgs

25 nC V @ 10

Matériau du transistor

Si

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Température de fonctionnement minimum

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Hauteur

0.95mm

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