MOSFET STMicroelectronics canal N, PowerFLAT 5 x 6 20 A 100 V, 8 broches

N° de stock RS: 907-4744PMarque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STL8N10LF3
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

20,2 A

Tension Drain Source maximum

-100 V

Séries

STripFET F3

Type de boîtier

PowerFLAT 5 x 6

Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

50 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum

70 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

5.2mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

6.15mm

Charge de Grille type @ Vgs

20,5 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Hauteur

0.95mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

1.3V

Détails du produit

Canal N STripFET™ F3, STMicroelectronics

Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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€ 41,27

€ 1,376 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

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QuantitéPrix unitairePar Bobine
30 - 90€ 1,376€ 13,76
100 - 490€ 1,084€ 10,84
500 - 990€ 0,863€ 8,63
1000+€ 0,841€ 8,41

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N

Courant continu de Drain maximum

20,2 A

Tension Drain Source maximum

-100 V

Séries

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PowerFLAT 5 x 6

Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

50 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum

70 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

5.2mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

6.15mm

Charge de Grille type @ Vgs

20,5 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Hauteur

0.95mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

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1.3V

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