Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
20,2 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Séries
STripFET F3
Type de boîtier
PowerFLAT 5 x 6
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
50 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
70 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
5.2mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.15mm
Charge de Grille type @ Vgs
20,5 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
0.95mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.3V
Détails du produit
Canal N STripFET™ F3, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 41,27
€ 1,376 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
30
€ 41,27
€ 1,376 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
30
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
---|---|---|
30 - 90 | € 1,376 | € 13,76 |
100 - 490 | € 1,084 | € 10,84 |
500 - 990 | € 0,863 | € 8,63 |
1000+ | € 0,841 | € 8,41 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
20,2 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Séries
STripFET F3
Type de boîtier
PowerFLAT 5 x 6
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
50 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
70 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
5.2mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.15mm
Charge de Grille type @ Vgs
20,5 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
0.95mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.3V
Détails du produit
Canal N STripFET™ F3, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.