MOSFET STMicroelectronics canal N, A-220 12 A 650 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
12 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Série
MDmesh M2
Type d'emballage
TO-220
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
330 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
110000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
20 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
15.75mm
Tension directe de la diode
1.6V
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics
Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 12,06
€ 2,412 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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5
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 2,412 | € 12,06 |
| 25 - 45 | € 2,294 | € 11,47 |
| 50 - 120 | € 2,064 | € 10,32 |
| 125 - 245 | € 1,856 | € 9,28 |
| 250+ | € 1,764 | € 8,82 |
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N
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12 A
Tension Drain Source maximum
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Série
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TO-220
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
330 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
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110000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
20 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
15.75mm
Tension directe de la diode
1.6V
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