MOSFET STMicroelectronics canal N, A-220 35 A 710 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
35 A
Tension Drain Source maximum
710 V
Série
MDmesh M5
Type de conditionnement
TO-220
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
78 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
210 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
82 nF @ 10 V
Hauteur
15.75mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M5, STMicroelectronics
Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent une zone de faible perte à l'état passant par silicone combinée à une faible charge de grille. Ils sont conçus pour les applications de commutation difficile éco-énergétiques, compactes et fiables, telles que les convertisseurs d'énergie solaire, les alimentations pour les produits de consommation et les commandes d'éclairage électronique.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 184,50
€ 7,38 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
25
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Paquet de production (Tube)
25
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 25 - 45 | € 7,38 | € 36,90 |
| 50 - 120 | € 6,641 | € 33,20 |
| 125+ | € 6,603 | € 33,02 |
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N
Courant continu de Drain maximum
35 A
Tension Drain Source maximum
710 V
Série
MDmesh M5
Type de conditionnement
TO-220
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
78 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
210 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
82 nF @ 10 V
Hauteur
15.75mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M5, STMicroelectronics
Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent une zone de faible perte à l'état passant par silicone combinée à une faible charge de grille. Ils sont conçus pour les applications de commutation difficile éco-énergétiques, compactes et fiables, telles que les convertisseurs d'énergie solaire, les alimentations pour les produits de consommation et les commandes d'éclairage électronique.
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