MOSFET STMicroelectronics canal N, A-247 52 A 650 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
52 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Séries
MDmesh M2
Type de boîtier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
55 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
350 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.75mm
Charge de Grille type @ Vgs
91 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
5.15mm
Tension directe de la diode
1.6V
Taille
20.15mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics
Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 5,25
€ 5,25 Each (hors TVA)
Standard
1
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
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1
Longueur
15.75mm
Charge de Grille type @ Vgs
91 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
5.15mm
Tension directe de la diode
1.6V
Taille
20.15mm
Pays d'origine
China
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Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics
Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).
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