Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Série
NexFET
Type de boîtier
VSONP
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
2,3 e + 006 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.1V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
€ 10,08
€ 1,008 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 10,08
€ 1,008 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
10 - 40 | € 1,008 | € 10,08 |
50 - 90 | € 0,987 | € 9,87 |
100 - 240 | € 0,755 | € 7,55 |
250 - 990 | € 0,747 | € 7,47 |
1000+ | € 0,67 | € 6,70 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Série
NexFET
Type de boîtier
VSONP
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
2,3 e + 006 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.1V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si