MOSFET Texas Instruments canal N, VSON-CLIP 204 A 40 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
204 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Série
NexFET
Type de conditionnement
VSON-CLIP
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
3.3 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.2V
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
3.2 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
5.1mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
25 nF @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.05mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance NexFET™ canal N, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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€ 11,62
€ 2,323 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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5
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 2,323 | € 11,62 |
| 25 - 45 | € 2,206 | € 11,03 |
| 50 - 120 | € 1,985 | € 9,93 |
| 125 - 245 | € 1,788 | € 8,94 |
| 250+ | € 1,699 | € 8,50 |
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40 V
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Type de conditionnement
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Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
3.3 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.2V
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
3.2 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
5.1mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
25 nF @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
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Hauteur
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