Toshiba SSM6 Dual N-Channel MOSFET, 180 mA, 20 V, 6-Pin US6 SSM6N35FU(TE85L,F)

N° de stock RS: 695-4849Marque: ToshibaN° de pièce Mfr: SSM6N35FU(TE85L,F)
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Toshiba

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

180 mA

Tension Drain Source maximum

20 V (canal N), -20 V (canal P)

Type d'emballage

US6

Série

SSM6

Type de montage

CMS

Nombre de broche

6

Résistance Drain Source maximum

20 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

0.2 W

Configuration du transistor

Isolated

Tension Grille Source maximum

-10 V, +10 V

Longueur

1.25mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Largeur

1.25mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

2

Taille

0.9mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Pays d'origine

Japan

Détails du produit

Double transistor MOSFET à canal N SSM6Nxx, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

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€ 2,03

€ 0,203 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)

Toshiba SSM6 Dual N-Channel MOSFET, 180 mA, 20 V, 6-Pin US6 SSM6N35FU(TE85L,F)

10

Disponible en multiples de 10
10€ 2,03
20€ 4,07
30€ 6,10
40€ 8,14
50€ 10,17
60€ 12,21
70€ 14,24
80€ 16,28
90€ 18,31
100€ 20,35
110€ 22,38
120€ 24,41
130€ 26,45
140€ 28,48
150€ 30,52

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N

Courant continu de Drain maximum

180 mA

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Type d'emballage

US6

Série

SSM6

Type de montage

CMS

Nombre de broche

6

Résistance Drain Source maximum

20 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

0.2 W

Configuration du transistor

Isolated

Tension Grille Source maximum

-10 V, +10 V

Longueur

1.25mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Largeur

1.25mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

2

Taille

0.9mm

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