MOSFET Toshiba canal N, A-220 11,5 A 600 V, 3 broches

N° de stock RS: 827-6113Marque: ToshibaN° de pièce Mfr: TK12E60W,S1VX(S
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Toshiba

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

11.5 A

Tension Drain Source maximum

600 V

Type d'emballage

TO-220

Séries

TK

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

300 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

3.7V

Dissipation de puissance maximum

110000 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Largeur

4.45mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.16mm

Charge de Grille type @ Vgs

25 nC V @ 10

Taille

15.1mm

Pays d'origine

China

Détails du produit

MOSFET Transistors, Toshiba

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€ 11,82

€ 2,363 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)

MOSFET Toshiba canal N, A-220 11,5 A 600 V, 3 broches
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Standard

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Standard - each

Disponible en multiples de 5.

Production -

Disponible en multiples de 5.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

5

Disponible en multiples de 5
5€ 11,82
10€ 23,63
15€ 35,45
20€ 47,26
25€ 47,40
30€ 56,88
35€ 66,36
40€ 75,84
45€ 85,32
50€ 86,35
55€ 94,99
60€ 103,63
65€ 112,26
70€ 120,90
75€ 129,53

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45€ 85,32
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QuantitéPrix unitairePar Paquet
5 - 20€ 2,363€ 11,82
25 - 45€ 1,896€ 9,48
50 - 120€ 1,727€ 8,64
125 - 245€ 1,584€ 7,92
250+€ 1,42€ 7,10

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Séries

TK

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

300 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

3.7V

Dissipation de puissance maximum

110000 mW

Configuration du transistor

Single

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Largeur

4.45mm

Matériau du transistor

Si

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1

Longueur

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