MOSFET Toshiba canal N, A-247 20 A 600 V, 3 broches

N° de stock RS: 827-6167PMarque: ToshibaN° de pièce Mfr: TK20N60W,S1VF(S
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Toshiba

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

20,2 A

Tension Drain Source maximum

600 V

Série

TK

Type d'emballage

A-247

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

155 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

3.7V

Dissipation de puissance maximum

165 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

15.94mm

Charge de Grille type @ Vgs

48 nC V @ 10

Température d'utilisation maximum

150 °C

Largeur

5.02mm

Matériau du transistor

Si

Taille

20.95mm

Pays d'origine

China

Détails du produit

Transistor MOSFET à canal-N, série TK2x, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

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€ 81,61

€ 4,081 Each (Supplied in a Bag) (hors TVA)

MOSFET Toshiba canal N, A-247 20 A 600 V, 3 broches
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Paquet de production (Sac)

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Standard - each

Disponible en multiples de 2.

Production -

Disponible en multiples de 2.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

20

Disponible en multiples de 2
20€ 81,61
22€ 89,77
24€ 97,94
26€ 106,10
28€ 114,26
30€ 122,42
32€ 130,58
34€ 138,74
36€ 146,90
38€ 155,07
40€ 143,34
42€ 150,51
44€ 157,68
46€ 164,85
48€ 172,01

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QuantitéPrix unitairePar Sac
20 - 38€ 4,081€ 8,16
40 - 72€ 3,584€ 7,17
74 - 148€ 3,387€ 6,77
150+€ 3,30€ 6,60

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Série

TK

Type d'emballage

A-247

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

155 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

3.7V

Dissipation de puissance maximum

165 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

15.94mm

Charge de Grille type @ Vgs

48 nC V @ 10

Température d'utilisation maximum

150 °C

Largeur

5.02mm

Matériau du transistor

Si

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