MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 60 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
60 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Séries
TK
Type de boîtier
TO-220SIS
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
10.4 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
30 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.5mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10mm
Charge de Grille type @ Vgs
23 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
15mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 5,28
€ 0,528 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
10
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 0,528 | € 5,28 |
| 50 - 90 | € 0,342 | € 3,42 |
| 100 - 240 | € 0,335 | € 3,35 |
| 250 - 490 | € 0,324 | € 3,24 |
| 500+ | € 0,317 | € 3,17 |
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N
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Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
10.4 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
30 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.5mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10mm
Charge de Grille type @ Vgs
23 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
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