MOSFET Toshiba canal N, A-220 90 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
90 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
TO-220
Séries
TK
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
8.2 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
126 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
10.16mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Charge de Grille type @ Vgs
49 nC @ 10 V
Largeur
4.45mm
Matériau du transistor
Si
Taille
15.1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 44,81
€ 0,896 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 0,896 | € 44,81 |
| 250 - 450 | € 0,767 | € 38,33 |
| 500 - 1200 | € 0,748 | € 37,38 |
| 1250+ | € 0,727 | € 36,37 |
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N
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Séries
TK
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
8.2 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
126 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
10.16mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Charge de Grille type @ Vgs
49 nC @ 10 V
Largeur
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Si
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