Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
40 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Séries
TK
Type d'emballage
DP
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3.5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.3V
Dissipation de puissance maximum
47 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
6.1mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10mm
Charge de Grille type @ Vgs
15 nC @ 5 V, 29 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
2.3mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 2,40
€ 0,479 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
5
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Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3.5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.3V
Dissipation de puissance maximum
47 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
6.1mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10mm
Charge de Grille type @ Vgs
15 nC @ 5 V, 29 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
2.3mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Japan
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