MOSFET Vishay Siliconix canal N, PowerPAK SO-8DC 100 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Vishay SiliconixType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
100 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Série
TrenchFET
Type d'emballage
PowerPAK SO-8DC
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
900 μΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.2V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
125 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
+20 V, +6 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5mm
Longueur
5.99mm
Charge de Grille type @ Vgs
125 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.1V
Hauteur
1.07mm
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 3 258,00
€ 1,086 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
€ 3 258,00
€ 1,086 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
Vishay SiliconixType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
100 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Série
TrenchFET
Type d'emballage
PowerPAK SO-8DC
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
900 μΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.2V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
125 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
+20 V, +6 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5mm
Longueur
5.99mm
Charge de Grille type @ Vgs
125 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.1V
Hauteur
1.07mm
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.