MOSFET Vishay canal P, HVMDIP 1,6 A 60 V, 4 broches

N° de stock RS: 903-4706Marque: VishayN° de pièce Mfr: IRFD9020PBF
brand-logo
Tout voir dans Transistors MOSFET

Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

1.6 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Type de conditionnement

HVMDIP

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

4

Résistance Drain Source maximum

280 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

1.3 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

5mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

6.29mm

Charge de Grille type @ Vgs

19 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Taille

3.37mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

6.3V

Pays d'origine

Philippines

Détails du produit

Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

€ 13,53

€ 1,353 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal P, HVMDIP 1,6 A 60 V, 4 broches
Sélectionner le type d'emballage

Standard

Sélectionner le type d'emballage

Standard - each

Disponible en multiples de 10.

Production -

Disponible en multiples de 10.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

10

Disponible en multiples de 10
10€ 13,53
20€ 27,05
30€ 40,58
40€ 54,10
50€ 67,63
60€ 81,15
70€ 94,68
80€ 108,20
90€ 121,73
100€ 132,59
110€ 145,85
120€ 159,11
130€ 172,37
140€ 185,63
150€ 198,89

€ 13,53

€ 1,353 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal P, HVMDIP 1,6 A 60 V, 4 broches
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Sélectionner le type d'emballage

Standard

Sélectionner le type d'emballage

Standard - each

Disponible en multiples de 10.

Production -

Disponible en multiples de 10.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

10

Disponible en multiples de 10
10€ 13,53
20€ 27,05
30€ 40,58
40€ 54,10
50€ 67,63
60€ 81,15
70€ 94,68
80€ 108,20
90€ 121,73
100€ 132,59
110€ 145,85
120€ 159,11
130€ 172,37
140€ 185,63
150€ 198,89

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Veuillez vérifier à nouveau plus tard.

QuantitéPrix unitairePar Paquet
10 - 90€ 1,353€ 13,52
100 - 240€ 1,326€ 13,26
250 - 490€ 1,15€ 11,50
500 - 990€ 1,096€ 10,96
1000+€ 0,891€ 8,91

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

1.6 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Type de conditionnement

HVMDIP

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

4

Résistance Drain Source maximum

280 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

1.3 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

5mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

6.29mm

Charge de Grille type @ Vgs

19 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Taille

3.37mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

6.3V

Pays d'origine

Philippines

Détails du produit

Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus