Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
23 A
Tension Drain Source maximum
400 V
Type de boîtier
TO-247AC
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
200 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
280 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.87mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
110 nC V @ 10
Largeur
5.31mm
Taille
20.7mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 300 à 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 13,64
Each (Supplied in a Bag) (hors TVA)
Paquet de production (Sac)
10
€ 13,64
Each (Supplied in a Bag) (hors TVA)
Paquet de production (Sac)
10
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VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
23 A
Tension Drain Source maximum
400 V
Type de boîtier
TO-247AC
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
200 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
280 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.87mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
110 nC V @ 10
Largeur
5.31mm
Taille
20.7mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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