MOSFET Vishay canal N, IPAK (TO-251) 4.3 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
4.3 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
IPAK (TO-251)
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
540 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2,5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-10 V, +10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
6,1 nC @ 5 V
Largeur
2.38mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Taille
6.22mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 100 à 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
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Through Hole
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Mode de canal
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Tension de seuil minimale de la grille
1V
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Single
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Charge de Grille type @ Vgs
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Largeur
2.38mm
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Si
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Longueur
6.73mm
Taille
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