MOSFET Vishay canal N, IPAK (TO-251) 4,3 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
4.3 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
IPAK (TO-251)
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
540 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2,5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-10 V, +10 V
Largeur
2.38mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
6,1 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
6.22mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 100 à 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 40,92
€ 0,546 Each (In a Tube of 75) (hors TVA)
75
€ 40,92
€ 0,546 Each (In a Tube of 75) (hors TVA)
75
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 75 - 75 | € 0,546 | € 40,92 |
| 150 - 300 | € 0,518 | € 38,84 |
| 375+ | € 0,491 | € 36,85 |
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Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
540 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2,5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-10 V, +10 V
Largeur
2.38mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
6,1 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
6.22mm
Température de fonctionnement minimum
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