MOSFET Vishay canal N, SC-75 200 mA 20 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
200 mA
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type d'emballage
SC-75
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
9 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.4V
Dissipation de puissance maximum
280 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-6 V, +6 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
0.86mm
Longueur
1.68mm
Charge de Grille type @ Vgs
750 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
0.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 8 à 25 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 295,94
€ 0,099 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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3
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Mode de canal
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0.4V
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Single
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1
Largeur
0.86mm
Longueur
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Charge de Grille type @ Vgs
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Si
Température d'utilisation maximum
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