MOSFET Vishay canal P, SOT-23 1,9 A 30 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
1.9 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type d'emballage
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
190 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
1000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.4mm
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
2 nC @ 4,5 V, 4 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.02mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 457,78
€ 0,153 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.4mm
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
2 nC @ 4,5 V, 4 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
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