MOSFET Vishay canal P, SOIC 8.1 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
8.1 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
24 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2,5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
15 nC @ 4,5 V, 32 nC @ 10 V
Largeur
4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 58,03
€ 0,58 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
€ 58,03
€ 0,58 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
100
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 100 - 490 | € 0,58 | € 5,80 |
| 500 - 990 | € 0,488 | € 4,88 |
| 1000 - 2490 | € 0,46 | € 4,60 |
| 2500+ | € 0,428 | € 4,28 |
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VishayType de canal
P
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8.1 A
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SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
24 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2,5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
15 nC @ 4,5 V, 32 nC @ 10 V
Largeur
4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.5mm
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