MOSFET Vishay canal P, PowerPAK 1212-8 23 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
23 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
PowerPAK 1212-8
Séries
TrenchFET
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
9 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
57 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
3.3mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.3mm
Charge de Grille type @ Vgs
92 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
0.78mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 845,02
€ 0,282 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Séries
TrenchFET
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CMS
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8
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
57 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
3.3mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.3mm
Charge de Grille type @ Vgs
92 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
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