MOSFET Vishay canal P, SOIC 17 A 40 V, 8 broches

N° de stock RS: 819-3917Marque: VishayN° de pièce Mfr: SQ4401EY-T1_GE3
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

17 A

Tension Drain Source maximum

40 V

Séries

SQ Rugged

Type de conditionnement

SOIC W

Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

24 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

1.5V

Dissipation de puissance maximum

7.14 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

4mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

5mm

Charge de Grille type @ Vgs

74 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Taille

1.55mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Pays d'origine

China

Détails du produit

Transistor MOSFET canal P, série SQ Rugged, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
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50 - 90€ 1,795€ 17,95
100 - 240€ 1,571€ 15,71
250 - 490€ 1,457€ 14,58
500+€ 1,211€ 12,11

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8

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