Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
17 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Séries
SQ Rugged
Type de conditionnement
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
24 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
7.14 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
74 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
1.55mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, série SQ Rugged, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 22,44
€ 2,244 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 22,44
€ 2,244 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
10 - 40 | € 2,244 | € 22,44 |
50 - 90 | € 1,795 | € 17,95 |
100 - 240 | € 1,571 | € 15,71 |
250 - 490 | € 1,457 | € 14,58 |
500+ | € 1,211 | € 12,11 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
17 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Séries
SQ Rugged
Type de conditionnement
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
24 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
7.14 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
74 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
1.55mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit