MOSFET Wolfspeed canal N, A-247 19 A 1200 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
WolfspeedType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
19 A
Tension Drain Source maximum
1200 V
Type de boîtier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
196 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.4V
Dissipation de puissance maximum
125 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-5 V, +20 V
Largeur
5.21mm
Longueur
16.13mm
Charge de Grille type @ Vgs
34 nC @ 20 V, 34 nC @ 5 V
Matériau du transistor
SiC
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Taille
21.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
3.3V
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors MOSFET d'alimentation en carbure de silicium Wolfspeed
Transistors MOSFET d'alimentation en carbure de silicium Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ et C3M™. Une gamme de MOSFET SiC de deuxième génération de Wolfspeed, la filière d'alimentation de Cree, qui fournit une densité de puissance et une efficacité de commutation de pointe. Ces dispositifs faible capacité acceptent des fréquences de commutation plus élevées et ont des conditions de refroidissement réduites, améliorant l'efficacité de fonctionnement globale du système.
• Technologie SiC à canal N et mode d'enrichissement
• Tensions d'isolation de source de drain élevées : jusqu'à 1 200 V
• Plusieurs dispositifs sont faciles à mettre en parallèle et simples à piloter
• Commutation haute vitesse avec faible résistance
• Fonctionnement à verrouillage résistant
MOSFET Transistors, Wolfspeed
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€ 388,64
€ 12,955 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.4V
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Single
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-5 V, +20 V
Largeur
5.21mm
Longueur
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Charge de Grille type @ Vgs
34 nC @ 20 V, 34 nC @ 5 V
Matériau du transistor
SiC
Température d'utilisation maximum
150 °C
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1
Taille
21.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
3.3V
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Transistors MOSFET d'alimentation en carbure de silicium Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ et C3M™. Une gamme de MOSFET SiC de deuxième génération de Wolfspeed, la filière d'alimentation de Cree, qui fournit une densité de puissance et une efficacité de commutation de pointe. Ces dispositifs faible capacité acceptent des fréquences de commutation plus élevées et ont des conditions de refroidissement réduites, améliorant l'efficacité de fonctionnement globale du système.
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