MOSFET DiodesZetex canal N, SOT-346 11 A 12 Mo, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
11 A
Tension Drain Source maximum
12 V
Type de boîtier
SMini
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
41 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
0.8V
Tension de seuil minimale de la grille
0.35V
Dissipation de puissance maximum
1.2 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.7mm
Longueur
3.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
50,6 nC @ 8 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
1.3mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 12 V à 28 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 338,72
€ 0,113 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
0.8V
Tension de seuil minimale de la grille
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Dissipation de puissance maximum
1.2 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
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1
Largeur
1.7mm
Longueur
3.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
50,6 nC @ 8 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
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