MOSFET IXYS canal N, A-220 7 A 800 V, 3 broches

N° de stock RS: 194-136Marque: IXYSN° de pièce Mfr: IXFP7N80P
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Documents techniques

Spécifications

Brand

IXYS

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

7 A

Tension Drain Source maximum

800 V

Type d'emballage

TO-220

Séries

HiperFET, Polar

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

1.44 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

5V

Dissipation de puissance maximum

200000 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.66mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Charge de Grille type @ Vgs

32 nC @ 10 V

Largeur

4.83mm

Taille

9.15mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar™

Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) d'IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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€ 23,14

€ 4,628 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
5 - 20€ 4,628€ 23,14
25 - 95€ 3,532€ 17,66
100 - 245€ 3,337€ 16,69
250 - 495€ 2,85€ 14,25
500+€ 2,684€ 13,42

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N

Courant continu de Drain maximum

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Séries

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Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

1.44 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

5V

Dissipation de puissance maximum

200000 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Matériau du transistor

Si

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1

Longueur

10.66mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Charge de Grille type @ Vgs

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Largeur

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Taille

9.15mm

Température de fonctionnement minimum

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