MOSFET IXYS canal N, A-220 7 A 800 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
7 A
Tension Drain Source maximum
800 V
Type de boîtier
TO-220
Séries
HiperFET, Polar
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1.44 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Dissipation de puissance maximum
200000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.66mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
32 nC @ 10 V
Largeur
4.83mm
Taille
9.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar™
Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) d'IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 23,14
€ 4,628 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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5
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 4,628 | € 23,14 |
| 25 - 95 | € 3,532 | € 17,66 |
| 100 - 245 | € 3,337 | € 16,69 |
| 250 - 495 | € 2,85 | € 14,25 |
| 500+ | € 2,684 | € 13,42 |
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N
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7 A
Tension Drain Source maximum
800 V
Type de boîtier
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Séries
HiperFET, Polar
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1.44 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Dissipation de puissance maximum
200000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.66mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
32 nC @ 10 V
Largeur
4.83mm
Taille
9.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar™
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