Documents techniques
Spécifications
Brand
MicrochipType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
200 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Série
2N7000
Type de conditionnement
TO-92
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
5,3 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Tension de seuil minimale de la grille
0.8V
Dissipation de puissance maximum
1000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.06mm
Longueur
5.08mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
0.85V
Hauteur
5.33mm
Pays d'origine
Taiwan, Province Of China
€ 350,40
€ 0,35 Each (In a Bag of 1000) (hors TVA)
1000
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MicrochipType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
200 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Série
2N7000
Type de conditionnement
TO-92
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
5,3 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Tension de seuil minimale de la grille
0.8V
Dissipation de puissance maximum
1000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.06mm
Longueur
5.08mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
0.85V
Hauteur
5.33mm
Pays d'origine
Taiwan, Province Of China