MOSFET onsemi canal P, SOT-363 880 mA 20 V, 6 broches

N° de stock RS: 780-0611PMarque: onsemiN° de pièce Mfr: NTJD4152PT1G
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Documents techniques

Spécifications

Brand

onsemi

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

880 mA

Tension Drain Source maximum

20 V (canal N), -20 V (canal P)

Type d'emballage

SOT-363

Type de montage

CMS

Nombre de broche

6

Résistance Drain Source maximum

1 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

1.2V

Dissipation de puissance maximum

350 mW

Configuration du transistor

Isolated

Tension Grille Source maximum

-12 V, +12 V

Nombre d'éléments par circuit

2

Longueur

2.2mm

Charge de Grille type @ Vgs

2,2 nC @ 4,5 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Largeur

1.35mm

Matériau du transistor

Si

Taille

1mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET à double canal P, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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€ 23,53

Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET onsemi canal P, SOT-363 880 mA 20 V, 6 broches
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Paquet de production (Bobine)

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Standard - each

Disponible en multiples de 25.

Production -

Disponible en multiples de 25.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

100

Disponible en multiples de 25
100€ 23,53
125€ 29,42
150€ 35,30
175€ 41,18
200€ 47,06
225€ 52,95
250€ 58,83
275€ 64,71
300€ 70,60
325€ 76,48
350€ 82,36
375€ 88,25
400€ 94,13
425€ 100,01
450€ 105,90

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P

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SOT-363

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6

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1 Ω

Mode de canal

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Tension de seuil maximale de la grille

1.2V

Dissipation de puissance maximum

350 mW

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2.2mm

Charge de Grille type @ Vgs

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Largeur

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