Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
-16 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Séries
STripFET
Type de conditionnement
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
100 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
45 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-16 V, +16 V
Longueur
10.75mm
Charge de Grille type @ Vgs
7,3 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
10.4mm
Taille
4.6mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 639,41
€ 0,639 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
-16 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Séries
STripFET
Type de conditionnement
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
100 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
45 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-16 V, +16 V
Longueur
10.75mm
Charge de Grille type @ Vgs
7,3 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
10.4mm
Taille
4.6mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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