MOSFET STMicroelectronics canal N, DPAK (TO-252) 12 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
12 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Série
MDmesh M2
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
320 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
110000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.2mm
Longueur
6.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
19 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Tension directe de la diode
1.6V
Hauteur
2.4mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics
Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 2 129,89
€ 0,852 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
€ 2 129,89
€ 0,852 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
12 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Série
MDmesh M2
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
320 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
110000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.2mm
Longueur
6.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
19 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Tension directe de la diode
1.6V
Hauteur
2.4mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics
Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.