MOSFET STMicroelectronics canal N, PowerFLAT 5 x 6 110 A 100 V, 8 broches

N° de stock RS: 786-3726Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STL110N10F7
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

110 A

Tension Drain Source maximum

-100 V

Séries

STripFET H7

Type de boîtier

PowerFLAT 5 x 6

Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

6 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

5000 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

5.4mm

Charge de Grille type @ Vgs

60 nC V @ 10

Largeur

6.35mm

Matériau du transistor

Si

Taille

0.95mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics

Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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€ 12,73

€ 2,546 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)

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PowerFLAT 5 x 6

Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

6 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

5000 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

5.4mm

Charge de Grille type @ Vgs

60 nC V @ 10

Largeur

6.35mm

Matériau du transistor

Si

Taille

0.95mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

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